Các vấn đề cốt lõi về sản xuất hàng loạt và các chiến lược giảm thiểu toàn diện đối với PiG (Phosphor trong thủy tinh) (Mục 3)

Nhiệt độ ngâm quá cao,thời gian giữ nhiệt độ cao kéo dài hoặc ổn định nhiệt kém của công thức thủy tinh sẽ gây ra sự kết tủa tự phát của các tinh thể borat và silicat bên trong ma trận thủy tinhNhững khiếm khuyết này làm giảm đáng kể khả năng truyền ánh sáng, gây ra sự phân tán ánh sáng nghiêm trọng và các điểm ánh sáng không đồng đều trên các nguồn ánh sáng LED.

Các hạt Phosphor hoạt động như các vị trí hạt nhân hóa tinh thể, kích hoạt sự devitrification lớn của thủy tinh dọc theo bề mặt hạt.cắt giảm hiệu quả ánh sáng và dẫn đến nhiệt độ màu không phù hợp.

Nếu không sàng lọc nguyên liệu bột, chất gây ô nhiễm alumina / zirconia bị trầy xước từ bể xay và các mảnh ghép graphite rơi từ khuôn vào các vật thể màu xanh lá cây sẽ tạo thành đá bao gồm màu đen cứng,chế biến các sản phẩm PiG trực tiếp phế liệu.

Điều chỉnh tỷ lệ các thành phần borosilicate hoặc tellurite, và thêm một lượng nhỏ Al2O3 và La2O3 để hạn chế sự phát triển của hạt nhân tinh thể.Phát triển thủy tinh với một phạm vi nhiệt độ làm mềm hẹp để tránh ở lâu dài trong cửa sổ nhiệt độ devitrification.

Kiểm soát dung nạp nhiệt độ lò trong ± 5 °C và rút ngắn thời gian giữ nhiệt độ cao.Thiết lập lò nồng nhanh hồng ngoại để vượt qua các phạm vi nhiệt độ dễ bị mưa tinh thể.

Lọc tất cả bột thủy tinh và bột phốt pho qua các màn hình lưới 300 × 800. Sử dụng lớp lót zirconia tinh khiết cao và các quả bóng nghiền zirconia để nghiền bóng.Áp dụng lớp phủ graphite đồng nhất trên khuôn sintering và thường xuyên loại bỏ dư lượng bụi bên trong buồng lòHoàn thành tất cả các thủ tục chuyển cơ thể xanh trong một xưởng không bụi.