고성능 Inp 양자점으로 지속 가능한 LED 조명 강화

최적의 조명 경험을 추구하는 것은 오랫동안 LED 기술의 근본적인 타협에 의해 방해되었습니다.컬러 렌더링 인덱스 (CRI)그리고광효율 (LE)광소 변환과 함께 파란색 LED 칩을 사용하는 현재 산업 표준 솔루션은 높은 색 정확성을 달성하려고 할 때 상당한 효율 손실을 겪습니다.

기존의 나이트라이드 기반의 적색 광소는 산업 표준을 초월한 색상 렌더링 메트릭을 밀어 넣을 때 상당한 에너지 낭비를 나타냅니다. CRI (Ra) 를 80에서 90으로 높이면 극적으로 증가합니다.17% 뤼멘 손실이 물리적 제한은 고급 조명 솔루션의 광범위한 채택을 방해합니다.

카드미움 기반의 양자 점 (QD) 은 뛰어난 성능을 보여줬지만173 lm/W좁은 방출 대역폭과 높은 양자 생산성으로 인해 EU RoHS와 같은 국제 환경 규정에 의해 상업적 생존성이 제한됩니다.조명 산업은 이제 중대한 도전 과제로 직면해 있습니다.카드미움 없는 대안을 개발하여Ra 90/R9 50중금속 제한을 준수하면서 품질 표준.

최근 연구에 따르면 인디엄 포스피드/진크 셀레나이드 (InP/ZnSe) 양자 점은 고성능 하얀 LED에 대한 유망한 해결책으로 검증되었습니다.

1. 스펙트럼 최적화이 연구는 좁은 방출 스펙트럼이 일반적으로 효율성을 향상시키는 반면, 높은 CRI 응용 프로그램은 색상 품질을 유지하기 위해 파장 적색 전환을 보상해야한다는 것을 밝혀냈다.대략 45nm 전체 너비 최대 절반 (FWHM) 의 InP/ZnSe QD는 최적의 균형을 보여줍니다., 색상 렌더링 능력에서 캐드미움 기반 QD와 일치합니다.
2. 성능 검증:연구자들은 InP/ZnSe QD를 녹색 광소와 결합함으로써Ra ≈ 90그리고R9 ≈ 504000K의 색 온도에서, 파란색 흥분과 빨간색 방출 사이의 "시안 격차"를 효과적으로 다룬다.
3. 에너지 효율성:실험 결과는 InP/ZnSe QD 기반 LED가 3000K와 4000K에서 방사선의 광효율 (LER) 에서 기존의 질소화성 광소보다 우월하다는 것을 보여줍니다.카드미움 기반의 대안과 동등하게 유지하면서이 시스템은132 lm/W4000K에서

연구 결과에 따르면 현재 InP/ZnSe QD-LED 효율의 제한은 양자 점 자체에서 비롯되는 것이 아니라블루 LED 칩 변환 효율성그리고패키지 수준의 가벼운 재활용캡슐화 기술이 발전함에 따라, 인디엄 포스피드 기반의 양자 점들은 다음 세대의 환경 친화적인높은 CRI의 흰색 LED는 고급 조명 솔루션의 상업적 구현을 위한 실용적인 경로를 제공합니다..